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| 一种高光谱图像传感器的单片集成方法 专利
专利号: CN201610214392.0, 申请日期: 2018-12-25, 公开日期: 2016-07-06
作者: 崔虎山; 项金娟 ; 贺晓彬; 杨涛; 李俊峰
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410398357.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-03-30
作者: 王桂磊; 崔虎山; 殷华湘; 李俊峰; 朱慧珑
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| 一种Fin-FET的沟槽隔离的形成方法 专利
专利号: CN201410008441.6, 申请日期: 2018-06-19, 公开日期: 2015-07-08
作者: 杨涛; 卢一泓; 张月; 崔虎山; 李俊峰
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| 一种沟道替换工艺的监测方法 专利
专利号: CN201410409029.5, 申请日期: 2018-06-01, 公开日期: 2016-02-24
作者: 崔虎山; 卢一泓; 赵超; 李俊峰; 杨涛
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| 一种硅深孔刻蚀方法 专利
专利号: CN201410571338.2, 申请日期: 2018-02-09, 公开日期: 2016-05-18
作者: 赵超; 李俊杰; 孟令款; 李春龙; 洪培真
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| Study of sigma-shaped source/drain recesses for embedded-SiGe pMOSFETs 期刊论文
Microelectronic Engineering, 2017
作者: Zhu HL(朱慧珑); Xu QX(徐秋霞); Li JF(李俊峰); Zhao C(赵超); Henry Homayoun Radamson
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| 提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法 专利
专利号: CN201210112494.3, 申请日期: 2016-09-21, 公开日期: 2013-10-30
作者: 崔虎山; 李俊峰; 侯瑞兵; 赵超; 杨涛
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| Integration of Selective Epitaxial Growth of SiGe/Ge layers in 14nm Node FinFETs 期刊论文
ECS Transactions, 2016
作者: Yin HX(殷华湘); Wang GL(王桂磊); Luo J(罗军); Qin ZL(秦长亮); Cui HS(崔虎山)
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| Investigation of TiAlC by Atomic Layer Deposition as N Type 期刊论文
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2015
作者: Cui HS(崔虎山); Xiang JJ(项金娟); Li TT(李亭亭); Zhang YB(张严波); Wang XL(王晓磊)
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| 一种FinFet器件源漏外延设备 专利
专利号: CN201520039123.6, 申请日期: 2015-06-10,
作者: 王桂磊; 崔虎山; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
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