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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路 专利 专利号: CN201310491719.5, 申请日期: 2017-02-01, 公开日期: 2014-01-22 作者:  龙世兵;  王国明;  张美芸;  李阳;  王明 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/04/27 一种制备纳米器件的方法 专利 专利号: CN201310491769.3, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2014-01-08 作者:  龙世兵;  张美芸;  王国明;  李阳;  王明 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2017/06/09 An overview of the switching parameter variation of RRAM 期刊论文 Chin. Sci. Bull., 2014 作者:  Wang GM(王国明);  Sun PX(孙鹏霄);  Sun HT(孙海涛);  Liu Q(刘琦);  Lv HB(吕杭炳) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/04/14