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| 非挥发性阻变存储器件及其制备方法 专利
专利号: US10134983, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-08-11
作者: 刘琦 ; 刘明; 孙海涛; 张科科; 龙世兵
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| Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory 期刊论文
Chinese physics B, 2018
作者: Bi JS(毕津顺); Xi K(习凯); Li B(李博); Wang HB(王海滨); Ji LL(季兰龙)
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2019/04/12 |
| Bipolar Analog Memristors as Artificial Synapses for Neuromorphic Computing 期刊论文
Materials, 2018
作者: Wang R(王睿); Shi T(时拓); Zhang XM(张续猛); Wang W(王伟); Wei JS(魏劲松)
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2019/04/18 |
| Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory 期刊论文
Chinese Physics B, 2018
作者: Liu J(刘璟); Xu XX(许晓欣); Chen CB(陈传兵); Gong TC(龚天成); Yu ZA(余兆安)
收藏 | 浏览/下载：50/0 | 提交时间：2019/04/12 |
| An Overview of the Ultrawide Bandgap Ga2O3 Semiconductor-Based Schottky Barrier Diode for Power Electronics Application 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2018
作者: Xue HW(薛惠文); He QM(何启鸣); Jian GZ(菅光忠); Long SB(龙世兵); Liu M(刘明)
收藏 | 浏览/下载：31/0 | 提交时间：2019/04/18 |
| 一种自选通阻变存储器件及其制备方法 专利
专利号: CN201610282626.5, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2016-08-03
作者: 吕杭炳; 刘明; 许晓欣; 罗庆; 刘琦
收藏 | 浏览/下载：32/0 | 提交时间：2019/03/06 |
| 一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器 专利
专利号: CN201610258335.2, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-07-20
作者: 吕杭炳; 刘明; 刘琦; 龙世兵
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| 基于湿法预释放结构的MEMS红外光源及其制备方法 专利
专利号: CN201610798783.1, 申请日期: 2018-06-22, 公开日期: 2016-12-07
作者: 陈大鹏; 明安杰; 刘卫兵; 孙西龙; 王玮冰
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| C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3 bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β-Ga2O3 期刊论文
AIP Advances, 2018
作者: Xue HW(薛惠文); Dong H(董航); Mu WX(穆文祥); Hu Y(胡媛); He QM(何启鸣)
收藏 | 浏览/下载：58/0 | 提交时间：2019/04/18 |
| Effects of Capping Electrode on Ferroelectric Properties of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018
作者: Cao RR(曹荣荣); Wang Y(王艳); Zhao SJ(赵盛杰); Yang Y(杨阳); Zhao XL(赵晓龙)
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2019/04/10 |
