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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Carrier-Number-Fluctuation Induced Ultralow 1/f Noise Level in Top-Gated Graphene Field Effect Transistor 期刊论文 ACS Applied Materials & Interfaces, 2017 作者:  Wang SQ(王少青);  Yu GH(于广辉);  Peng SA(彭松昂);  Jin Z(金智);  Zhang DY(张大勇) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2018/05/15