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| Microstructure and mechanical properties of titanium/steel bimetallic joints 期刊论文
MATERIALS CHARACTERIZATION, 2017, 卷号: 132, 页码: 330-337
作者: Chu, Qiaoling; Bai, Ruixiang; Zhang, Min; Li, Jihong; Lei, Zhenkun
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| 具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件 专利
申请日期: 2016-01-01, 公开日期: 2016-08-24
作者: 黄火林; 孙仲豪; 梁红伟; 夏晓川; 杜国同
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| 具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件及其制备方法 专利
申请日期: 2016-01-01, 公开日期: 2016-05-11
作者: 黄火林; 孙仲豪; 梁红伟; 夏晓川; 杜国同
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| 具有纵向栅极结构的常关型HEMT 器件 专利
申请日期: 2016-01-01, 公开日期: 2016-08-24
作者: 黄火林; 孙仲豪; 梁红伟; 夏晓川; 杜国同
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| The effect of cooling rate during the hydrothermal growth on the tip geometry of ZnO nanorods 期刊论文
Advanced Materials Research, 2013, 卷号: 602, 页码: 144-147
作者: Zhang HQ(张贺秋); Hu LZ(胡礼中); Liang HW(梁红伟); Luo YM(骆英民); Bian JM(边继明)
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| The Effect of Growth Time on the Morphology of ZnO Nanorods by Hydrothermal Method 期刊论文
Advanced Materials Research, 2013, 卷号: 622, 页码: 855-859
作者: Zhang HQ(张贺秋); Hu LZ(胡礼中); Liang HW(梁红伟); Luo YM(骆英民); Bian JM(边继明)
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| 基于低温生长n—ZnO电子注入层的InGaN黄绿光发光二极管的制备与研究 会议论文
第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 西安, 2010-10-25
作者: 程轶; 梁红伟; 柳阳; 刘远达; 边继明
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| 基于低温生长n-ZnO电子注入层的InGaN黄绿光发光二极管的制备与研究 会议论文
第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 西安, 2010-10-25
作者: 程轶; 梁红伟; 柳阳; 刘远达; 边继明
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| Sb掺杂对MOCVD生长的ZnO薄膜性质的影响 会议论文
第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 西安, 2010-10-25
作者: 赵涧泽; 梁红伟; 李硕石; 边继明; 胡礼中
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| 脉冲激光沉积法在p型GaAs衬底上制备ZnO同质结发光二极管 会议论文
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集中国电子学会;广州市科协, 广州, 2008-11-30
作者: 赵涧泽; 孙景昌; 梁红伟; 冯秋菊; 边继明
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