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C面SiC衬底上N面GaN的MOCVD制备及特性研究 期刊论文
沈阳师范大学学报（自然科学版）, 2016, 卷号: 34, 页码: 140-143
作者:  宋世巍;  张东;  赵琰;  王存旭;  柯昀洁
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射频磁控溅射沉积系统制备BCN薄膜的研究 期刊论文
沈阳师范大学学报（自然科学版）, 2015, 页码: 333-336
作者:  王健;  张东;  王晓文;  赵琰;  李昱材
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Improving the quality of GaN epilayer by preparing a novel patterned sapphire substrate 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2014, 卷号: 25, 页码: 267-272
作者:  Yang, Dechao;  Liang, Hongwei;  Qiu, Yu;  Shen, Rensheng;  Liu, Yang
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Evolution of the crystallographic planes of cone-shaped patterned sapphire substrate treated by wet etching 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 卷号: 295, 页码: 26-30
作者:  Yang, Dechao;  Liang, Hongwei;  Qiu, Yu;  Shen, Rensheng;  Liu, Yang
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/09
Crack-free ultraviolet AlGaN/GaN distributed Bragg reflectors grown by MOVPE on 6H-SiC(0001) 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2014, 卷号: 70, 页码: 54-60
作者:  Wang, Dongsheng;  Liang, Hongwei;  Tao, Pengcheng;  Zhang, Kexiong;  Song, Shiwei
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Smooth surface morphology and low dislocation density of p-GaN using indium-assisted growth 期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2014, 卷号: 116, 页码: 1561-1566
作者:  Zhang, Kexiong;  Liang, Hongwei;  Shen, Rensheng;  Song, Shiwei;  Wang, Dongsheng
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SiC衬底上GaN薄膜和LED的制备与研究 学位论文
: 大连理工大学, 2013
作者:  宋世巍
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近紫外GaN基LED的量子效率研究 会议论文
中国物理学会;中国稀土学会, 南京
作者:  王东盛;  洛英民;  杜国同;  郭文平;  张克雄
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低温插入层对绿光LED的发光影响 期刊论文
发光学报, 2013, 卷号: 34, 页码: 744-747
作者:  宋世巍;  柳阳;  梁红伟;  夏小川;  张克雄
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衬底弯曲度对GaN基LED芯片性能的影响 期刊论文
发光学报, 2013, 卷号: 34, 页码: 340-344
作者:  杨德超;  梁红伟;  邱宇;  宋世巍;  申人升
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