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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Process Development of Thick Si Interposer for 2.5D Integration of RF MEMS Devices 其他 2016-01-01 Ren, Kuili; Ma, Shenglin; Ma, Feilong; Yan, Jun; Xia, Yanming; Luo, Rongfeng; Jin, Yufeng; Chen, Jing 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 Thick TSV interposer  high resistivity Si  CPW  Micro-strip  inductor   Process Development of Through-Glass-Via (TGV) Interposer for Radio Frequency (RF) Applications 其他 2016-01-01 Yan, Jun; Ma, Shenglin; Ma, Feilong; Xia, Yanming; Luo, Rongfeng; Jin, Yufeng; Chen, Jing 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2017/12/03 TGVinterposer  RF  Electrical property   A complete analytic surface potential-based core model for intrinsic nanowire surrounding-gate MOSFETs 其他 2009-01-01 He, Jin; Zhang, Lining; Zhang, Jian; Ma, Chenyue; Liu, Feilong; Chan, Mansun 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/10 non-classical MOS transistor  surrounding-gate MOSFETs  device physics  surface potential model  non-charge-sheet approximation  MOS-TRANSISTOR  CHARGE  PERFORMANCE