QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：重庆大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GeSn Quantum Well P-Channel Tunneling FETs Fabricated on Si(001) and (111) With Improved Subthreshold Swing 期刊论文 2016, 卷号: 37, 页码: 701-704 作者:  Han, Genquan[1];  Wang, Yibo[1];  Liu, Yan[1];  Zhang, Chunfu[1];  Feng, Qian[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/30 Strained Germanium–Tin (GeSn) P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Featuring High Effective Hole Mobility 期刊论文 2015, 卷号: 36, 页码: 980-986 作者:  Liu, Yan[1];  Yan, Jing[1];  Wang, Hongjuan[1];  Cheng, Buwen[2];  Han, Genquan[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/29 Relaxed germanium-tin P-channel tunneling field-effect transistors fabricated on Si: impacts of Sn composition and uniaxial tensile strain 期刊论文 2015, 卷号: 5 作者:  Han, Genquan[1,2];  Wang, Yibo[1];  Liu, Yan[2];  Wang, Hongjuan[2];  Liu, Mingshan[2] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/30 Strained GeSn p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors With In Situ Si2H6 Surface Passivation: Impact of Sn Composition 期刊论文 2014, 卷号: 61, 页码: 3639-3645 作者:  Liu, Yan[1];  Yan, Jing[1];  Wang, Hongjuan[1];  Zhang, Qingfang[1];  Liu, Mingshan[1] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/11/28 Mobility enhancement in undoped Ge0.92Sn0.08 quantum well p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor fabricated on (111)-oriented substrate 期刊论文 2014, 卷号: 29 作者:  Liu, Yan[1];  Yan, Jing[1];  Liu, Mingshan[1];  Wang, Hongjuan[1];  Zhang, Qingfang[1] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/28