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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Measurement of Upsilon production in pp collisions at root s = 13TeV (vol 134, 1804.09214, 2018) 其他 2019-01-01 作者:  Aaij, R.;  Adeva, B.;  Adinolfi, M.;  Ajaltouni, Z.;  Akar, S. 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/12/05 Measurement of the CKM angle using B-+/- DK +/- with D -> KS0(+-),(KsK+K-)-K-0 decays (vol 08, 176, 2018) 其他 2018-01-01 作者:  Aaij, R.;  Adeva, B.;  Adinolfi, M.;  Aidala, C. A.;  Ajaltouni, Z. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/05 Measurement of the CKM angle using B-+/- DK +/- with D -> KS0(+-),(KsK+K-)-K-0 decays (vol 08, 176, 2018) 其他 2018-01-01 作者:  Aaij, R.;  Adeva, B.;  Adinolfi, M.;  Aidala, C. A.;  Ajaltouni, Z. 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/05 Improvement of Endurance Degradation for Oxide Based Resistive Switching Memory Devices Correlated With Oxygen Vacancy Accumulation Effect 其他 2012-01-01 Lu, Y.; Chen, B.; Gao, B.; Fang, Z.; Fu, Y. H.; Yang, J. Q.; Liu, L. F.; Liu, X. Y.; Yu, H. Y.; Kang, J. F. 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/11/13 hafnium oxide  nonvolatile memory  endurance  conductive filament  oxygen vacancy  RRAM