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北京大学 [6]
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其他 [9]
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2018 [2]
2013 [1]
2012 [1]
2009 [1]
2008 [3]
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Measurement of Upsilon production in pp collisions at root s = 13TeV (vol 134, 1804.09214, 2018)
其他
2019-01-01
作者:
Aaij, R.
;
Adeva, B.
;
Adinolfi, M.
;
Ajaltouni, Z.
;
Akar, S.
收藏
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浏览/下载：39/0
|
提交时间：2019/12/05
Measurement of the CKM angle using B-+/- DK +/- with D -> KS0(+-),(KsK+K-)-K-0 decays (vol 08, 176, 2018)
其他
2018-01-01
作者:
Aaij, R.
;
Adeva, B.
;
Adinolfi, M.
;
Aidala, C. A.
;
Ajaltouni, Z.
收藏
|
浏览/下载：14/0
|
提交时间：2019/12/05
Measurement of the CKM angle using B-+/- DK +/- with D -> KS0(+-),(KsK+K-)-K-0 decays (vol 08, 176, 2018)
其他
2018-01-01
作者:
Aaij, R.
;
Adeva, B.
;
Adinolfi, M.
;
Aidala, C. A.
;
Ajaltouni, Z.
收藏
|
浏览/下载：7/0
|
提交时间：2019/12/05
Monitoring ground surface displacement in the three gorges area, dangxiong-lasha and jiangsu province area
其他
2013-01-01
Singleton, A.
;
Muller, J.-P.
;
Zeng, Q.
;
Zhang, J.
;
Li, Z.
;
Larkin, H.
;
Li, X.
;
Liu, P.
;
Kincal, C.
;
Yan, D.
;
Liang, C.
;
Cui, X.
;
Zhou, X.
;
Wang, Q.
;
Gao, S.
;
Yun, Y.
;
Xiong, S.
;
Gong, L.
;
Jiang, W.
;
Luo, Y.
;
He, X.
;
He, M.
收藏
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浏览/下载：4/0
|
提交时间：2015/11/17
Improvement of Endurance Degradation for Oxide Based Resistive Switching Memory Devices Correlated With Oxygen Vacancy Accumulation Effect
其他
2012-01-01
Lu, Y.
;
Chen, B.
;
Gao, B.
;
Fang, Z.
;
Fu, Y. H.
;
Yang, J. Q.
;
Liu, L. F.
;
Liu, X. Y.
;
Yu, H. Y.
;
Kang, J. F.
收藏
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浏览/下载：7/0
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提交时间：2015/11/13
hafnium oxide
nonvolatile memory
endurance
conductive filament
oxygen vacancy
RRAM
Oxide-Based RRAM: Uniformity Improvement Using A New Material-Oriented Methodology
其他
2009-01-01
Gao, B.
;
Zhang, H. W.
;
Yu, S.
;
Sun, B.
;
Liu, L. F.
;
Liu, X. Y.
;
Wang, Y.
;
Han, R. Q.
;
Kang, J. F.
;
Yu, B.
;
Wang, Y. Y.
收藏
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浏览/下载：4/0
|
提交时间：2015/11/13
RRAM
uniformity
resistive switching
Resistive Switching Behaviors and Mechanism of Transition Metal Oxides-Based Memory Devices
其他
2008-01-01
Kang, J. F.
;
Sun, B.
;
Gao, B.
;
Xu, N.
;
Sun, X.
;
Liu, L. F.
;
Wang, Y.
;
Liu, X. Y.
;
Han, R. Q.
;
Wang, Y. Y.
收藏
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浏览/下载：4/0
|
提交时间：2015/11/10
A unified physical model of switching behavior in oxide-based RRAM
其他
2008-01-01
Xu, N.
;
Gao, B.
;
Liu, L. F.
;
Sun, Bing
;
Liu, X. Y.
;
Han, R. Q.
;
Kang, J. F.
;
Yu, B.
收藏
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浏览/下载：3/0
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提交时间：2015/11/10
Oxide-Based RRAM Switching Mechanism: A New Ion-Transport-Recombination Model
其他
2008-01-01
Gao, B.
;
Yu, S.
;
Xu, N.
;
Liu, L. F.
;
Sun, B.
;
Liu, X. Y.
;
Han, R. Q.
;
Kang, J. F.
;
Yu, B.
;
Wang, Y. Y.
收藏
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浏览/下载：2/0
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提交时间：2015/11/13
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