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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High Performance InGaAs MOSFETs with an InGaP interface Control Layer and ALD-AL2O3 Gate Oxide for RF Switch Applications 会议论文 作者:  Sun B(孙兵);  Xia QZ(夏庆贞);  Huang KL(黄凯亮);  Chang HD(常虎东);  Wang SK(王盛凯) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2018/07/20