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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：兰州大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optimization of HfO2 growth process by atomic layer deposition (ALD) for high performance charge trapping flash memory application 会议论文 China Semiconductor Technology International Conference 2013, CSTIC 2013, Shanghai, China, March 19, 2013 - March 21, 2013 作者:  Chen, GuoXing;  Huo, Zongliang;  Zhao, ShengJie;  Yang, Xiaonan;  Liu, ZiYu 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/01/20 Atomic layer deposition  Charge trapping  Deposition  Flash memory  Hafnium oxides  Physisorption  Semiconductor device manufacture  Charge trapping memory  Charge-trapping flashes  Deposition temperatures  Future designs  Memory applications  Memory performance  Process parameters  Trapping layers