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科研机构
重庆大学 [2]
半导体研究所 [2]
上海应用物理研究所 [1]
内容类型
专利 [5]
发表日期
2016 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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共5条,第1-5条
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一种核设施周围大气中多形态氚的取样装置及测量方法
专利
专利号: CN106018003A, 申请日期: 2016-10-12, 公开日期: 2016-10-12
作者:
刘卫
;
秦来来
;
包广粮
;
王玲
;
马玉华
收藏
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2021/09/09
提升聚酰亚胺薄膜交流闪络电压的方法
专利
作者:
王飞鹏[1]
;
张涛[1]
;
杨楠[1]
;
李剑[1]
;
杜林[1]
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/11/29
在聚酰亚胺薄膜表面引入含磷基团的方法
专利
作者:
王飞鹏[1]
;
张涛[1]
;
杨楠[1]
;
李剑[1]
;
杜林[1]
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/11/29
沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
郑柳
;
孙国胜
;
张峰
;
刘兴昉
;
王雷
;
赵万顺
;
闫果果
;
董林
;
刘胜北
;
刘斌
;
田丽欣
;
曾一平
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2014/11/24
沟槽型MOS势垒肖特基二极管
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
郑柳
;
孙国胜
;
张峰
;
刘兴昉
;
王雷
;
赵万顺
;
闫果果
;
董林
;
刘胜北
;
刘斌
;
田丽欣
;
曾一平
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2014/11/24
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