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一种核设施周围大气中多形态氚的取样装置及测量方法 专利
专利号: CN106018003A, 申请日期: 2016-10-12, 公开日期: 2016-10-12
作者:  刘卫;  秦来来;  包广粮;  王玲;  马玉华
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提升聚酰亚胺薄膜交流闪络电压的方法 专利
作者:  王飞鹏[1];  张涛[1];  杨楠[1];  李剑[1];  杜林[1]
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在聚酰亚胺薄膜表面引入含磷基团的方法 专利
作者:  王飞鹏[1];  张涛[1];  杨楠[1];  李剑[1];  杜林[1]
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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