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半导体研究所 [2]
重庆大学 [1]
西安光学精密机械研究... [1]
内容类型
专利 [4]
发表日期
2009 [1]
2007 [2]
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砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法
专利
专利号: CN100452584C, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-01-14
作者:
李路
;
刘峰奇
;
刘俊岐
;
郭瑜
;
周华兵
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/24
用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
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浏览/下载:222/12
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提交时间:2009/06/11
砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
李路
收藏
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浏览/下载:99/8
  |  
提交时间:2009/06/11
一种孔隙率可控的多孔钛制备方法
专利
作者:
邱贵宝[1]
;
牛文娟[1]
;
白晨光[1]
;
吕学伟[1]
;
陈登福[1]
收藏
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提交时间:2019/11/30
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