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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构 专利 专利号: CN101867155A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20 作者:  刘王来;  叶小玲;  徐波;  王占国 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18 控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007, 2010-10-15 作者:  叶小玲 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/03/19 GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 作者:  徐波;  叶小玲 收藏  |  浏览/下载：251/36  |  提交时间：2009/06/11 GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法 专利 专利号: CN101212125A, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2008-07-02 作者:  梁凌燕;  叶小玲;  徐波;  陈涌海;  王占国 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/31 具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 作者:  叶小玲 收藏  |  浏览/下载：215/50  |  提交时间：2009/06/11 利用砷化铟－铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 专利 专利号: CN100345250C, 申请日期: 2007-10-24, 公开日期: 2007-10-24 作者:  李凯;  叶小玲;  王占国 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/26 砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 作者:  叶小玲 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2009/06/11 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 作者:  叶小玲;  金鹏 收藏  |  浏览/下载：126/10  |  提交时间：2009/06/11 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利 专利号: CN1892986A, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2007-01-10 作者:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18 利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 作者:  叶小玲 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2009/06/11