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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：西安光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 制造III族氮化物基化合物半导体的方法、晶片以及III族氮化物基化合物半导体器件 专利 专利号: CN101499415A, 申请日期: 2009-08-05, 公开日期: 2009-08-05 作者:  永井诚二;  山崎史郎;  佐藤峻之;  药师康英;  奥野浩司 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2020/01/18