QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2000-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 陈诺夫; 林兰英; 王玉田; 何宏家; 钟兴儒 收藏  |  浏览/下载：59/8  |  提交时间：2009/06/11 一种恒温装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-01-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 昝育德; 李瑞云; 王俊; 林兰英 收藏  |  浏览/下载：64/5  |  提交时间：2009/06/11 双栅ＭＯＳ器件 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 1989-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 林雨; 陆文兰; 王志英 收藏  |  浏览/下载：49/3  |  提交时间：2009/06/11