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科研机构
半导体研究所 [14]
内容类型
专利 [14]
发表日期
2010 [1]
2009 [4]
2008 [5]
学科主题
半导体材料 [3]
微电子学 [1]
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内容类型:专利
专题:半导体研究所
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电学测试的汞探针装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12, 2010-10-15
作者:
刘兴昉
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/08/12
碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999, 2010-10-15
作者:
刘兴昉
收藏
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浏览/下载:112/0
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提交时间:2010/03/19
多晶立方相碳化硅微机电系统谐振器件及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996, 2010-10-15
王 亮
;
宁 瑾
;
孙国胜
;
王 雷
;
赵万顺
;
赵永梅
;
刘兴昉
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/03/19
图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996, 2010-10-15
作者:
刘兴昉
收藏
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浏览/下载:138/0
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提交时间:2010/03/19
氧化硅上制备低阻碳化硅的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996, 2010-10-15
作者:
刘兴昉
收藏
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浏览/下载:97/0
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提交时间:2010/03/19
基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
刘兴昉
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
刘兴昉
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2009/06/11
用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
刘兴昉
收藏
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浏览/下载:244/59
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提交时间:2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2010-10-15
作者:
刘兴昉
收藏
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浏览/下载:97/15
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提交时间:2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
刘兴昉
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2009/06/11
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