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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：Physics    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 research on the total dose irradiation effect of partial-depletion-silicon-on insulator static random access memory 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 10, 页码: - 作者:  Li Ming;  Yu Xue-Feng;  Xue Yao-Guo;  Lu Jian;  Cui Jiang-Wei 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/11/29 partial-depletion-silicon-on insulator  static random access memory  total-dose effects  power supply current   The influence of channel size on total dose irradiation and hot-carrier effects of sub-micro NMOSFET 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 2, 页码: - 作者:  Cui Jiang-Wei;  Yu Xue-Feng;  Ren Di-Yuan;  Lu Jian 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/11/29 sub-micro  total dose irradiation  hot-carrier effect   Effects of orientation of substrate on the enhanced low-dose-rate sensitivity (ELDRS) in NPN transistors 期刊论文 CHINESE PHYSICS C, 2011, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 169-173 作者:  Lu Wu;  Zheng Yu-Zhan;  Wang Yi-Yuan;  Ren Di-Yuan;  Guo Qi 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/11/29 NPN bipolar junction transistors  (60)Co-gamma irradiation  ELDRS  orientation of substrate   PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究 期刊论文 核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456 作者:  李明;  余学峰;  卢健;  高博;  崔江维 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/11/29 PDSOI  SRAM  总剂量效应  功耗电流  退火效应