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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Multidisciplinary     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-Current Multi-Finger Mesa InGaAs/InP DHBTs 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 128502-128502 Jin, Z; Cheng, W; Su, YB; Liu, XY; Xu, AH; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 Composite-Collector InGaAs/InP Double Heterostructure Bipolar Transistors with Current-Gain Cutoff Frequency of 242 GHz 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 38502-38502 Cheng, W; Jin, Z; Su, YB; Liu, XY; Xu, AH; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/24 HIGH-BREAKDOWN-VOLTAGE  DHBT TECHNOLOGY  F(MAX)   High-speed InGaAs/InP double heterostructure bipolar transistor with high breakdown voltage 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2683-2685 Jin, Z; Su, YB; Cheng, W; Liu, XY; Xu, AH; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/03/24 High current multi-finger InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with the maximum oscillation frequency 253 GHz 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3075-3078 Jin, Z; Su, YB; Cheng, W; Liu, XY; Xu, AH; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 High-breakdown-voltage submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(t)=170 GHz and f(max)=253GHz 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2686-2689 Jin, Z; Su, YB; Cheng, W; Liu, XY; Xu, AH; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 AMPLIFIER  BASE   Fabrication of silicon-on-insulator-multilayer structure by epitaxial layer transfer 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2003, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 207-210 Xie, XY; Lin, Q; Men, CL; Liu, WL; Xu, AH; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24