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上海微系统与信息技术... [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2011 [5]
学科主题
Multidisci... [5]
Physics [5]
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学科主题:Multidisciplinary
学科主题:Physics
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Enhanced Total Ionizing Dose Susceptibility in Narrow Channel Devices
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 70701
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Ning,BX
;
Bi,DW
;
Chen,M
;
Zou,SC
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/04/10
IOP PUBLISHING LTD
Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 120703
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Ning,BX
;
Zou,SC
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/04/10
IOP PUBLISHING LTD
Impact of substrate bias on radiation-induced edge effects in MOSFETs
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 120702
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao-Hua
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/04/10
IOP PUBLISHING LTD
Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 70701
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Ning,BX
;
Zou,SC
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2012/04/10
IOP PUBLISHING LTD
Total ionizing dose effect of 0. 18 mu M nMOSFETs
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 11, 页码: 116103
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Ning,BX
;
Bi,DW
;
Chen,M
;
Zou,SC
收藏
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提交时间:2012/04/10
CHINESE PHYSICAL SOC
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