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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：Engineering     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optimization of 40-nm Node Epitaxial Diode Array for Phase-Change Memory Application 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 8, 页码: 1192-1194 Liu, Y; Song, ZT; Liu, B; Wu, GP; Chen, HP; Zhang, C; Wang, LH; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/04/17 Buried n(+) layer (BNL) series resistance  epitaxial (EPI) diode array  numerical model  phase-change memory (PCM)   An 8-Mb Phase-Change Random Access Memory Chip Based on a Resistor-on-Via-Stacked-Plug Storage Cell 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 9, 页码: 1270-1272 Cai, DL; Chen, HP; Wang, Q; Chen, YF; Song, ZT; Wu, GP; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/04/17 Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS)  endurance  phase-change random access memory (PCRAM)  phase-change resistor  resistor-on-via-stacked-plug (RVP)   An 8-Mb Phase-Change Random Access Memory Chip Based on a Resistor-on-Via-Stacked-Plug Storage Cell 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 9, 页码: 1270-1272 Cai, DL; Chen, HP; Wang, Q; Chen, YF; song, zt(重点实验室）; Wu, GP; Feng, SL(重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/05/10 Engineering  Electrical & Electronic   Optimization of 40-nm Node Epitaxial Diode Array for Phase-Change Memory Application 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 8, 页码: 1192-1194 Liu, Y; song, zt(重点实验室）; Liu, B(重点实验室）; Wu, GP; Chen, HP; Zhang, C; Wang, LH; Feng, SL(重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/05/10 Engineering  Electrical & Electronic   Temperature model for Ge2Sb2Te5 phase change memory in electrical memory device 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 13-17 Cai,DL; Song,ZT; Chen,HP; Chen,XG 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/04/10 PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD