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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2010 [1]
学科主题
微电子学 [1]
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Observation of N-Shaped Negative Differential Resistance in GaAs-Based Modulation-Doped Field Effect Transistor with InAs Quantum Dots
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2010, 卷号: 49, 期号: 10, 页码: art. no. 104002
Li YQ (Li Yueqiang)
;
Wang XD (Wang Xiaodong)
;
Xu XN (Xu Xiaona)
;
Liu W (Liu Wen)
;
Chen YL (Chen Yanling)
;
Yang FH (Yang Fuhua)
;
Tan PH (Tan Pingheng)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
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提交时间:2010/11/14
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