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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：微电子学    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High Responsivity Photoconductors Based on Iron Pyrite Nanowires Using Sulfurization of Anodized Iron Oxide Nanotubes 期刊论文 nano letters, 2014, 卷号: 14, 期号: 10, 页码: 6002-6009 Wu, J; Liu, LH; Liu, ST; Yu, P; Zheng, ZR; Shafa, M; Zhou, ZH; Li, HD; Ji, HN; Wang, ZMM 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/03/20 Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: article no.56104 作者:  Yu F 收藏  |  浏览/下载：93/6  |  提交时间：2011/07/06 separation by oxygen implantation  buried oxide  nitrogen implantation  positive charge density  RADIATION HARDNESS  IMPLANTING NITROGEN  ION-IMPLANTATION  IMPROVEMENT  TECHNOLOGY  OXYGEN  LAYER   Influence of nitrogen implantation into the buried oxide on the radiation hardness of silicon-on-insulator wafers 期刊论文 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: art. no. 106106 Tang HM (Tang Hai-Ma); Zheng ZS (Zheng Zhong-Shan); Zhang EX (Zhang En-Xia); Yu F (Yu Fang); Li N (Li Ning); Wang NJ (Wang Ning-Juan) 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/11/02 silicon-on-insulator wafers  radiation hardness  nitrogen implantation   Radiation hardness characteristic of N-implanted and F-implanted SIMOX/NMOSFET 期刊论文 功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 426-430 作者:  YU Fang 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23