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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Anomalous coarsening of self-assembled InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: art. no. 055310 作者:  Ye XL;  Pan JQ;  Liang S 收藏  |  浏览/下载：128/30  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MULTIATOMIC STEPS  ISLANDS  GROWTH  FABRICATION  EPITAXY   Abnormal temperature dependence of photoluminescence from self-assembled InAs quantum dots covered by an InAlAs/InGaAs combination layer 期刊论文 solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 7, 页码: 391-394 作者:  Jin P;  Ye XL;  Li CM;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  semiconductors  optical properties  EPITAXY   Interface-related in-plane optical anisotropy in GaAs/AlxGa1-xAs single-quantum-well structures studied by reflectance difference spectroscopy 期刊论文 physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 19, 页码: art.no.195321 作者:  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  EXCITON LOCALIZATION  INVERSION ASYMMETRY  COMMON-ATOM  LIGHT-HOLE  HETEROSTRUCTURES  SUPERLATTICES  POLARIZATION  SEGREGATION  MORPHOLOGY   Photoluminescence study of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by an InAlAs and InGaAs combination layer 期刊论文 journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 1, 页码: 511-514 作者:  Jin P;  Li CM;  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  1.3 MU-M  TEMPERATURE-DEPENDENCE  GROWTH  GAAS  LASERS   Effect of growth temperature on luminescence and structure of self-assembled InAlAs/AlGaAs quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 4, 页码: 2048-2050 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：100/6  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LASER-DIODES  PHOTOLUMINESCENCE  THRESHOLD  EMISSION   In-plane optical anisotropy of symmetric and asymmetric (001) GaAs/Al(Ga)As superlattices and quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 3, 页码: 1266-1270 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：87/9  |  提交时间：2010/08/12 ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS  DIFFERENCE SPECTROSCOPY  INVERSION ASYMMETRY  COMMON-ATOM  LIGHT-HOLE  HETEROSTRUCTURES  INTERFACE   InAs self-assembled quantum dots grown on an InP (311)B substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 7, 页码: 4186-4188 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：143/18  |  提交时间：2010/08/12 MATRIX  ISLANDS  INGAAS   Thermal redistribution of photocarriers between bimodal quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 4, 页码: 1973-1976 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：85/5  |  提交时间：2010/08/12 TEMPERATURE-DEPENDENCE  CARRIER RELAXATION  EMISSION   Structure and photoluminescence of InGaAs quantum dots formed on an InAlAs wetting layer 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 1411-1414 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：82/8  |  提交时间：2010/08/12 TEMPERATURE-DEPENDENCE  CARRIER TRANSFER  LASERS  GAIN   Determination of the values of hole-mixing coefficients due to interface and electric field in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices 期刊论文 physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: art.no.115317 作者:  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：105/2  |  提交时间：2010/08/12 GIANT OPTICAL ANISOTROPY  QUANTUM-WELLS  COMMON-ATOM  ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS  INVERSION ASYMMETRY  HETEROSTRUCTURES