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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Microstructure of a-SiOx : H 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 1320-1328 Wang YQ; Liao XB; Diao HW; Cheng WC; Li GH; Chen CY; Zhang SB; Xu YY; Chen WD; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 a-SiOx : H  microstructure  bonding configuration  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS-SILICON  ELECTRONIC-PROPERTIES  SIO2/SI INTERFACE  OXYGEN  FILMS  VIBRATIONS  ALLOYS  SYSTEM   Thermal redistribution of localized excitons and its effect on the luminescence band in InGaN ternary alloys 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 12, 页码: 1810-1812 Li Q; Xu SJ; Cheng WC; Xie MH; Tong SY; Che CM; Yang H 收藏  |  浏览/下载：79/7  |  提交时间：2010/08/12 QUANTUM DOTS  TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  ACTIVATION  DIODES   Temperature dependence of the low-field mobility of a very narrow miniband in the degenerate case 期刊论文 physics letters a, 1996, 卷号: 212, 期号: 0, 页码: 97-102 Xu SJ; Liu J; Zheng HZ; Chua SJ; Li YX; Cheng WC; Zhang PH; Yang XP 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/17 NEGATIVE DIFFERENTIAL CONDUCTIVITY  SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES  ELECTRICAL TRANSPORT  LOCALIZATION  CONDUCTANCE   Optical properties of delta-doped GaAs and GaAs/Al0.1Ga0.9As superlattices 期刊论文 acta physica sinica-overseas edition, 1996, 卷号: 5, 期号: 6, 页码: 463-469 Cheng WC; Xia JB; Xu SJ; Zheng HZ; Luo KJ; Zhang PH; Yang XP 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/17 QUANTUM-WELLS  BAND-GAP