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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optical transitions in cubic GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition on GaAs (100) substrate 期刊论文 chinese physics letters, 2000, 卷号: 17, 期号: 8, 页码: 612-614 Chen Y; Li GH; Han HX; Wang ZP; Xu DP; Yang H 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHOTOLUMINESCENCE   Role of surface defect states in visible luminescence from oxidized hydrogenated amorphous Si hydrogenated amorphous Ge multilayers 期刊论文 applied physics letters, 1999, 卷号: 74, 期号: 25, 页码: 3773-3775 Xu J; He ZH; Chen KJ; Huang XF; Feng DA; Han HX; Wang ZP; Li GH 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 QUANTUM-CONFINEMENT  PHOTOLUMINESCENCE  SUPERLATTICES  NANOCRYSTALS  CRYSTALLITES  FILMS   Observation of the third subband population in modulation-doped InGaAs/InAlAs heterostructure 期刊论文 chinese physics letters, 1998, 卷号: 15, 期号: 1, 页码: 57-59 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 MULTIPLE-QUANTUM WELLS  PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY  TRANSISTOR STRUCTURES  ELECTRON  TEMPERATURE  DENSITY   Photoluminescence study of InxGa1-xAs/InyAl1-yAs one-side-modulation-doped asymmetric step quantum wells 期刊论文 solid state communications, 1998, 卷号: 106, 期号: 12, 页码: 811-814 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum wells  semiconductors  electronic band structure  luminescence  TRANSISTOR STRUCTURES  OPTICAL-TRANSITIONS  MASS  RENORMALIZATION  HETEROJUNCTIONS  LUMINESCENCE  DENSITY  FERMI-EDGE SINGULARITY   Ordered InAs quantum dots in InAlAs matrix on (001) InP substrates grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 17, 页码: 2123-2125 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 SELF-ORGANIZATION  ISLANDS  RECOMBINATION  GAAS(100)  SURFACE   Molecular beam epitaxy growth of Iny2Al1-y2As/In0.73Ga0.27As/Iny1Al1-y1As/InP P-HEMTs with enhancement conductivity using an intentional nonlattice-matched buffer layer 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 1997, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 2021-2025 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 HETEROSTRUCTURES   The third subband population in modulation-doped InGaAs/InAlAs heterostructures 期刊论文 journal of applied physics, 1997, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: 6107-6109 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 MULTIPLE-QUANTUM WELLS  PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY  TRANSISTOR STRUCTURES  ELECTRON  TEMPERATURE  DENSITY