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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [2]
发表日期
2007 [1]
2006 [2]
2003 [2]
2002 [1]
学科主题
半导体物理 [6]
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学科主题:半导体物理
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Unusual carrier thermalization in a dilute GaAs1-xNx alloy
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 6, 页码: art.no.061905
作者:
Tan PH
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/03/29
PHOTOLUMINESCENCE
Photoluminescence from the nitrogen-perturbed above-bandgap states in dilute GaAs1-xNx alloys: A microphotoluminescence study
期刊论文
physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 20, 页码: art.no.205205
Tan PH (Tan P. H.)
;
Luo XD (Luo X. D.)
;
Xu ZY (Xu Z. Y.)
;
Zhang Y (Zhang Y.)
;
Mascarenhas A (Mascarenhas A.)
;
Xin HP (Xin H. P.)
;
Tu CW (Tu C. W.)
;
Ge WK (Ge W. K.)
收藏
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/04/11
HOT PHOTOLUMINESCENCE
GALLIUM-ARSENIDE
GAAS
SEMICONDUCTORS
LUMINESCENCE
SCATTERING
Resonant Raman Scattering and Photoluminescence Emissions from Above Bandgap Levels in Dilute GaAsN Alloy
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 397-402
作者:
Zhang Y
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
Alloy states in dilute GaAs1-xNx alloys (x < 1%)
期刊论文
applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 11, 页码: 1697-1699
Luo XD
;
Huang JS
;
Xu ZY
;
Yang CL
;
Liu J
;
Ge WK
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
收藏
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浏览/下载:44/0
  |  
提交时间:2010/08/12
BAND-GAP REDUCTION
GAASN
EXCITONS
Optical study of localized and delocalized states in GaAsN/GaAs
会议论文
symposium on gan and related alloys held at the mrs fall meeting, boston, ma, dec 01-05, 2003
作者:
Tan PH
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浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2010/10/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ALLOYS
GAAS1-XNX
PHOTOLUMINESCENCE
RELAXATION
Optical study of electronic states in GaAsN
会议论文
conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002
Luo XD
;
Yang CL
;
Huang JS
;
Xu ZY
;
Liu J
;
Ge WK
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/10/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE
QUANTUM-WELL
ALLOYS
RELAXATION
GAAS1-XNX
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