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半导体研究所 [13]
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期刊论文 [13]
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2014 [1]
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学科主题
半导体物理 [13]
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InAs homoepitaxy and InAs/AlSb/GaSb resonant interband tunneling diodes on InAs substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2016, 卷号: 443, 页码: 85-89
Wei Xiang
;
Guowei Wang
;
Hongyue Hao
;
Yongping Liao
;
Xi Han
;
Lichun Zhang
;
Yingqiang Xu
;
Zhengwei Ren
;
Haiqiao Ni
;
Zhenhong He
;
Zhichuan Niu
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2017/03/16
High quality above 3-mu m mid-infrared InGaAsSb/AlGaInAsSb multiple-quantum well grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics b, 2014, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 017805
Xing, JL
;
Zhang, Y
;
Xu, YQ
;
Wang, GW
;
Wang, J
;
Xiang, W
;
Ni, HQ
;
Ren, ZW
;
He, ZH
;
Niu, ZC
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/05/11
High quality above 3-μm mid-infrared InGaAsSb_AlGaInAsSb multiple-quantum well grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
Chin.Phys.B, 2013, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 017805
Xing Jun-Liang, Zhang Yu, Xu Ying-Qiang, Wang Guo-Wei, Wang Juan, Xiang Wei, Ni Hai-Qiao, Ren Zheng-Wei, He Zhen-Hong, Niu Zhi-Chuan
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2014/03/26
Molecular beam epitaxy growth of high electron mobility InAs AlSb deep
期刊论文
journal of applied physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 1, 页码: 013704
Juan Wang, Guo-Wei Wang, Ying-Qiang Xu, Jun-Liang Xing, Wei Xiang, Bao Tang, Yan Zhu, Zheng-Wei Ren, Zhen-Hong He, Zhi-Chuan Niu
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2014/03/26
Complete fabrication study of InAs/GaSb superlattices for long-wavelength infrared detection
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2012, 卷号: 45, 期号: 26, 页码: 265103
Wang, GW
;
Xu, YQ
;
Wang, LJ
;
Ren, ZW
;
He, ZH
;
Xing, JL
;
Niu, ZC
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/02/07
Photoluminescence study of two layer stacked InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
guangxue xuebao/acta optica sinica, 2012, 卷号: 32, 期号: 1
Wei, Quanxiang
;
Wu, Bingpeng
;
Ren, Zhengwei
;
He, Zhenhong
;
Niu, Zhichuan
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/05/07
Growth and Characterization of GaSb-Based Type-II InAs/GaSb Superlattice Photodiodes for Mid-Infrared Detection
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 7, 页码: art. no. 077305
Wang GW (Wang Guo-Wei)
;
Xu YQ (Xu Ying-Qiang)
;
Guo J (Guo Jie)
;
Tang B (Tang Bao)
;
Ren ZW (Ren Zheng-Wei)
;
He ZH (He Zhen-Hong)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/08/17
IR DETECTION MODULES
INAS
Morphology Evolution of (331)A High-Index Surfaces During Atomic Hydrogen Assisted Molecular Beam Epitaxy (MBE)
期刊论文
光子学报, 2008, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 1107-1111
NIU Zhihong
;
REN Zhengwei
;
HE Zhenhong
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
Growth of GaSb layers on GaAs (001) substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 1080-1084
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang)
;
Ren ZW (Ren Zhengwei)
;
Ni HQ (Ni Haiqiao)
;
He ZH (He Zhenhong)
;
Niu ZC (Niu, Zhichuan)
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浏览/下载:92/0
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提交时间:2010/03/29
INFRARED PHOTODIODES
MBE growth of very short period InAs/GaSb type-II superlattices on (001) GaAs substrates
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 21, 页码: 6690-6693
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang)
;
Ren ZW (Ren Zhengwei)
;
Ni HQ (Ni Haiqiao)
;
He ZH (He Zhenhong)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/03/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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