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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Material Growth and Device Fabrication of GaAs Based 1.3μm GaInNAs Quantum Well Laser Diodes 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1860-1864 作者:  Xu Yingqiang;  Yang Xiaohong;  Xu Yingqiang;  Han Qin;  Niu Zhichuan 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/11/23