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半导体研究所 [16]
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期刊论文 [15]
会议论文 [1]
发表日期
2005 [1]
2002 [1]
2001 [3]
2000 [8]
1999 [2]
1993 [1]
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学科主题
半导体物理 [16]
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学科主题:半导体物理
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GaAs-based room-temperature continuous-wave 1.59 mu m GaInNAsSb single-quantum-well laser diode grown by molecular-beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 23, 页码: art.no.231121
Niu, ZC
;
Zhang, SY
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
Zhao, H
;
Peng, HL
;
Xu, YQ
;
Li, SY
;
He, ZH
;
Ren, ZW
;
Han, Q
;
Yang, XH
;
Du, Y
;
Wu, RH
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浏览/下载:130/37
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提交时间:2010/03/17
Anomalous temperature dependence of photoluminescence in GaInNAs/GaAs multiple quantum wells
期刊论文
chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 1203-1206
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
BAND
LUMINESCENCE
GAAS
LOCALIZATION
EMISSION
BEHAVIOR
SHIFT
INGAN
Effects of rapid thermal annealing and SiO2 encapsulation on GaNAs/GaAs single quantum wells grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2488-2490
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:68/3
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提交时间:2010/08/12
1.3 MU-M
OPTICAL-PROPERTIES
BAND-GAP
SUPERLATTICES
LASERS
GAAS
High-temperature characteristics of GaInNAs/GaAs single-quantum-well lasers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 659-661
Pan Z
;
Li LH
;
Du Y
;
Lin YW
;
Wu RH
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浏览/下载:69/4
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提交时间:2010/08/12
SURFACE-EMITTING LASER
OPERATION
RANGE
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting IIIV materials
LUMINESCENCE
GAASN
Effect of rapid thermal annealing on GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 9, 页码: 1280-1282
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wu RH
;
Ge W
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LASER
OPERATION
GAAS
Influence of dual incorporation of In and N on the luminescence of GaInNAs/GaAs single quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 25, 页码: 4148-4150
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN
Room-temperature optical transitions in Mg-doped cubic GaN/GaAs(100) grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 4, 页码: 2064-2066
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
GAN FILMS
Effects of rapid thermal annealing on the optical properties of GaNxAs1-x/GaAs single quantum well structure grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 1, 页码: 245-248
Li LH
;
Pan Z
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Zhou ZQ
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/08/12
BAND-GAP ENERGY
SUPERLATTICES
DEPENDENCE
ALLOYS
GAASN
Anomalous strains in the cubic-phase GaN films grown on GaAs (001) by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3762-3764
作者:
Zhang SM
;
Zhao DG
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
NITRIDE SEMICONDUCTORS
STRESS
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