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科研机构
半导体研究所 [11]
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期刊论文 [9]
会议论文 [2]
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2009 [1]
2008 [3]
2004 [1]
2002 [2]
2001 [2]
2000 [2]
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学科主题
半导体物理 [11]
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学科主题:半导体物理
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Influence of penetrating V-pits on leakage current of GaN based p-i-n UV detector
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957
Zhang S (Zhang Shuang)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Duan LH (Duan Li-Hong)
;
Liu WB (Liu Wen-Bao)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:137/40
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提交时间:2010/03/08
GaN
Continuous-wave operation of GaN based multi-quantum-well laser diode at room temperature
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 1281-1283
作者:
Ji L
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:60/5
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提交时间:2010/03/08
Photoelectric characteristics of metal/InGaN/GaN heterojunction structure
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 16, 页码: art. no. 165108
Sun, X
;
Liu, WB
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Zhang, S
;
Wang, LL
;
Wang, H
;
Zhu, JJ
;
Duan, LH
;
Wang, YT
;
Zhao, DG
;
Zhang, SM
;
Yang, H
收藏
  |  
浏览/下载:65/0
  |  
提交时间:2010/03/08
FUNDAMENTAL-BAND GAP
IN1-XGAXN ALLOYS
INN
Fabrication and optical characterization of GaN-based nanopillar light emitting diodes
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3485-3488
Zhu, JH
;
Zhang, SM
;
Sun, X
;
Zhao, DG
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Jiang, DS
;
Duan, LH
;
Wang, H
;
Shi, YS
;
Liu, SY
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/03/08
INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA
ARRAYS
NANOSTRUCTURES
LUMINESCENCE
NANORODS
Photoluminescence characteristics of GaAsSbN/GaAs epilayers lattice-matched to GaAs substrates
期刊论文
solid state communications, 2004, 卷号: 132, 期号: 10, 页码: 707-711
作者:
Tan PH
;
Jiang DS
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浏览/下载:159/55
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提交时间:2010/03/09
GaAsSbN epilayer
Anomalous temperature dependence of photoluminescence in GaInNAs/GaAs multiple quantum wells
期刊论文
chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 1203-1206
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
BAND
LUMINESCENCE
GAAS
LOCALIZATION
EMISSION
BEHAVIOR
SHIFT
INGAN
The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2002), aachen, germany, jul 22-25, 2002
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:16/2
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提交时间:2010/10/29
LUMINESCENCE
LOCALIZATION
Conduction band offset and electron effective mass in GaInNAs/GaAs quantum-well structures with low nitrogen concentration
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 15, 页码: 2217-2219
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:104/6
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INGAASN
LASER
OPERATION
ALLOYS
GROWTH
GAAS
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting IIIV materials
LUMINESCENCE
GAASN
Influence of dual incorporation of In and N on the luminescence of GaInNAs/GaAs single quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 25, 页码: 4148-4150
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN
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