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Gate-controlled reversible rectifying behaviour in tunnel contacted atomically-thin MoS2 transistor 期刊论文
NATURE COMMUNICATIONS, 2017, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: 970
作者:  Xiao-Xi Li;  Zhi-Qiang Fan;  Pei-Zhi Liu;  Mao-Lin Chen;  Xin Liu
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2018/06/15
Fabrication and characterization of high lattice matched InAs/InAsSb superlattice infrared photodetector 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2017, 卷号: 470, 页码: 33–36
作者:  Ruiting Hao;  Yang Ren;  Sijia Liu;  Jie Guo;  Guowei Wang
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/06/15
Research on the Method of Identifying Maize Haploid Based on KPCA and Near Infrared Spectrum 期刊论文
光谱学与光谱分析, 2017, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 2024-2027
作者:  LIU Wen-jie;  LI Wei-jun;  LI Hao-guang;  QIN Hong;  NING Xin
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2018/06/25
Short to long-wave IR detectors based on InAs/GaSb superlattices in multi-color application 期刊论文
proceedings of the spie, 2013, 卷号: 8907, 页码: 89070r
Guo, Jie; Wang, Guowei; Lin, Xu; Hao, Ruiting
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2014/05/08
GaAs-based resonant tunneling diode (RTD) epitaxy on Si for highly sensitive strain gauge applications 期刊论文
nanoscale research letters, 2013, 卷号: 8, 页码: 218
Li, Jie; Guo, Hao; Liu, Jun; Tang, Jun; Ni, Haiqiao; Shi, Yunbo; Xue, Chenyang; Niu, Zhichuan; Zhang, Wendong; Li, Mifeng; Yu, Ying
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/08/27
Rapid thermal annealing on GaSb thin films grown by Molecular Beam Epitaxy on GaAs substrates 期刊论文
advanced materials research, 2013, 卷号: 787, 页码: 143-147
Rui Ting Hao; Jie Guo; Shu Kang Deng; Ying Liu; Yan Mei Miao; Ying Qiang Xu
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2015/03/25
Density functional theory study on transparent conductive oxide CuScO2 期刊论文
acta physica sinica, 2012, 卷号: 61, 期号: 22, 页码: 227401
Fang Zhi-Jie; Mo Man; Zhu Ji-Zhen; Yang Hao
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/10/10
GaAs基短周期InAs/GaSb超晶格红外探测器研究 期刊论文
红外与毫米波学报, 2009, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 165-167
作者:  牛智川
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23
生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响 期刊论文
功能材料, 2008, 卷号: 39, 期号: 10, 页码: 1605-1607
作者:  牛智川
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23
Electron transport properties of In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum wells with two occupied subbands 期刊论文
acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 4, 页码: 2481-2485
Li-Yan, S; Tie, L; Wen-Zheng, Z; Zhi-Ming, H; Dong-Lin, L; Hong-Ling, G; Li-Jie, C; Yi-Ping, Z; Shao-Ling, G; Jun-Hao, C
收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/03/08

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