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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
会议论文 [2]
发表日期
1999 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体物理 [2]
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学科主题:半导体物理
内容类型:会议论文
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Pressure behavior of deep centers in ZnSxTe1-x alloys
会议论文
8th international conference on high pressure semiconductor physics (hpsp-viii), thessaloniki, greece, aug 09-13, 1998
Liu NZ
;
Li GH
;
Zhang W
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Ge WK
;
Sou IK
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提交时间:2010/11/15
ABSORPTION-EDGE
STRAINS
ZNS
High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method
会议论文
semiconductor lasers iii, beijing, peoples r china, sep 16-18, 1998
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Wang ZM
;
Wang LM
;
He GP
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Zhou XN
;
Chen LH
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2010/10/29
InGaAsP
strained layer quantum well
laser diode
MOCVD
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