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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
会议论文 [4]
发表日期
2006 [1]
2002 [1]
2001 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体物理 [4]
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学科主题:半导体物理
内容类型:会议论文
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1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
会议论文
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Niu, ZC
;
Zhang, SY
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
He, ZH
;
Sun, Z
;
Han, Q
;
Wu, RG
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浏览/下载:224/60
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提交时间:2010/03/29
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
NITROGEN
ORIGIN
DIODES
The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2002), aachen, germany, jul 22-25, 2002
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:18/2
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提交时间:2010/10/29
LUMINESCENCE
LOCALIZATION
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting IIIV materials
LUMINESCENCE
GAASN
Self-sustained oscillations caused by magnetic field in a weakly-coupled GaAs/AlAs superlattice
会议论文
5th international conference on the electrical transport and optical properties of inhomogeneous media (etopim5), hong kong, hong kong, jun 21-25, 1999
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/15
transverse magnetic field
field domains
self-sustained oscillations
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