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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of growth interruption on self-assembled InAs/GaAs islands 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 97-101 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs/GaAs  islands  MBE  PL  growth interruption  ORGANIZATION  TRANSITION  GAAS  QUANTUM   Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures 期刊论文 journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61 Wang ZM; Feng SL; Lu ZD; Zhao Q; Yang XP; Chen ZG; Xu ZY; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  InAs/GaAs  quantum dots  BOX ISLANDS  GAAS  INTERDIFFUSION  GAAS(100)  GROWTH  THRESHOLD  INGAAS  STRAIN  SCALE  OPTICAL-PROPERTIES   Quantum interference effect in GaAs/AlGaAs double quantum wells 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1995, 卷号: 35, 期号: 0, 页码: 372-375 Wang XH; Yu Q; Laiho R; Li CF; Liu JA; Yang XP; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/17 quantum effect  GaAs  quantum wells  RINGS   PHOTOELECTROCHEMICAL BEHAVIOR OF THE GAAS/ALXGA1-XAS SUPERLATTICE ELECTRODE/ELECTROLYTE INTERFACE 期刊论文 chinese physics letters, 1994, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 239-241 LIU Y; XIAO XR; LI XP; REN XM; ZHENG HQ; ZENG YP; YAN CH; SUN DZ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 PHOTOCURRENT SPECTROSCOPY