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科研机构
半导体研究所 [10]
内容类型
期刊论文 [9]
会议论文 [1]
发表日期
2012 [1]
2011 [8]
2008 [1]
学科主题
半导体材料 [10]
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学科主题:半导体材料
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Hydride vapor phase epitaxy of strain-reduced GaN film on nano-island template produced using self-assembled CsCl nanospheres
期刊论文
materials letters, 2012, 卷号: 68, 页码: 327-330
Wei, TB
;
Chen, Y
;
Hu, Q
;
Yang, JK
;
Huo, ZQ
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Liao, YX
;
Yin, FT
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2013/03/17
Behavioural investigation of InN nanodots by surface topographies and phase images
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 44, 页码: 445306
Deng, QW
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Yin, HB
;
Chen, H
;
Lin, DF
;
Li, JM
;
Wang, ZG
;
Hou, X
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/01/06
QUANTUM DOTS
SOLAR-CELLS
GROWTH
FILMS
GAN
Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101
Deng QW
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yin HB
;
Chen H
;
Lin DF
;
Jiang LJ
;
Feng C
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Hou X
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/01/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
BAND-GAP
MG
PHOTOLUMINESCENCE
INGAN
DEPENDENCE
STRAIN
ENERGY
INN
An investigation on InxGa1-xN/GaN multiple quantum well solar cells
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 26, 页码: art. no. 265103
作者:
Yin HB
;
Lin DF
;
Hou QF
;
Deng QW
收藏
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浏览/下载:36/2
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提交时间:2011/07/07
FUNDAMENTAL-BAND GAP
PHASE-SEPARATION
EFFICIENCY
INN
EMISSION
LAYERS
MODEL
Computational Investigation of InxGa1-xN/InN Quantum-Dot Intermediate-Band Solar Cell
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: article no.18401
作者:
Deng QW
;
Hou QF
;
Bi Y
;
Yin HB
收藏
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浏览/下载:42/5
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提交时间:2011/07/05
EFFICIENCY
Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.102104
作者:
Deng QW
收藏
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浏览/下载:47/5
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提交时间:2011/07/05
QUANTUM-WELL-STRUCTURE
ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE
YELLOW LUMINESCENCE
DEEP LEVELS
TRAP
PERFORMANCE
FREQUENCY
EPILAYERS
ORIGIN
DIODES
Cathodoluminescence of Yellow and Blue Luminescence in Undoped Semi-insulating GaN and n-GaN
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: article no.37102
Hou QF
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Yin HB
;
Li JM
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:42/4
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提交时间:2011/07/05
EPITAXIAL LAYERS
PHOTOLUMINESCENCE
ABSORPTION
CARBON
BAND
Theoretical study on InxGa1-xN/GaN quantum dots solar cell
期刊论文
physica b-condensed matter, 2011, 卷号: 406, 期号: 1, 页码: 73-76
作者:
Hou QF
;
Yin HB
;
Deng QW
收藏
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浏览/下载:102/9
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提交时间:2011/07/05
Efficiency
Quantum dot
GaN
EFFICIENCY
An investigation on In(x)Ga(1-x)N/GaN multiple quantum well solar cells
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 26, 页码: 265103
Deng QW
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yin HB
;
Chen H
;
Hou QF
;
Lin DF
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Hou X
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/01/06
FUNDAMENTAL-BAND GAP
PHASE-SEPARATION
EFFICIENCY
INN
EMISSION
LAYERS
MODEL
Operational Optimization of GaN Thin Film Growth Employing Numerical Simulation in a Showerhead MOCVD Reactor
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
Yin, HB
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Ran, JX
;
Xiao, HL
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/03/09
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