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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 AlGaN/AlN/GaN/SiC HEMT structure with high mobility GaN thin layer as channel grown by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 835-839 Wang XL (Wang Xiaoliang); Hu GX (Hu Guoxin); Ma ZY (Ma Zhiyong); Ran JX (Ran Junxue); Wang CM (Wang Cuimei); Mao HL (Mao Hongling); Tang H (Tang Han); Li HP (Li Hanping); Wang JX (Wang Junxi); Zeng YP (Zeng Yiping); Jinmin LM (Li Jinmin); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/03/29 2DEG