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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Catalytic Activation of Mg-Doped GaN by Hydrogen Desorption Using Different Metal Thin Layers 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2010, 卷号: 49, 期号: 10, 页码: art. no. 100201 Wei TB (Wei Tongbo); Wang JX (Wang Junxi); Liu NX (Liu Naixin); Lu HX (Lu Hongxi); Zeng YP (Zeng Yiping); Wang GH (Wang Guohong); Li JM (Li Jinmin) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/14 LOW-TEMPERATURE ACTIVATION  FILMS   Study on mechanical properties of GaN epitaxy films grown on sapphire by MOCVD 期刊论文 rare metal materials and engineering, 2007, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 416-419 Wei TB (Wei Tongbo); Wang JX (Wang Junxi); Li JM (Li Jinmin); Liu Z (Liu Zhe); Duan RF (Duan Ruifei) 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/03/29 GaN   Cathodoluminescence and Raman research of V-shape inverted pyramid in HVPE grown GaN film 期刊论文 materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 18, 页码: 3882-3885 作者:  Wei TB;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/03/29 GaN   Spatial variation of optical and structural properties of ELO GaN directly grown on patterned sapphire by HVPE 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 2881-2885 作者:  Wei TB;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/03/29 VAPOR-PHASE EPITAXY   Characterization of free-standing GaN substrate grown through hydride vapor phase epitaxy with a TiN interlayer 期刊论文 applied surface science, 2007, 卷号: 253, 期号: 18, 页码: 7423-7428 作者:  Duan RF;  Wei TB 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/03/29 GaN