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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study of GSMBE growth and characteristics of high-quality strained In0.63Ga0.37As/InP quantum wells 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 180, 期号: 1, 页码: 22-26 Wang XL; Sun DZ; Kong MY; Hou X; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/17 quantum wells  GSMBE  InGaAs/InP  photoluminescence  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  MULTILAYERS  DEFECTS  DISLOCATIONS  MODULATION  LASERS  SHIFT   GSMBE growth and characterization of InxGa1-xAs/InP strained-layer MQWs in a P-i-N configuration 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 175, 期号: 0, 页码: 1254-1258 Wang XL; Sun DZ; Kong MY; Hou X; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/17 quantum wells  molecular beam epitaxy  InGaAs/InP  optical properties  QUANTUM-WELL STRUCTURES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  MODULATION  EXCITONS  LASERS  SHIFT   GSMBE growth and PL investigation of lattice-matched InGaAs/InP quantum wells 期刊论文 journal of crystal growth, 1996, 卷号: 164, 期号: 0, 页码: 281-284 Wang XL; Sun DZ; Kong MY; Hou X; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  LASERS