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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The influence of internal electric fields on the transition energy of InGaN/gaN quantum well 期刊论文 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 522-526 Guo LC (Guo Lunchun); Wang XL (Wang Xiaoliang); Xiao HL (Xiao Hongling); Wang BZ (Wang Baozhu) 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/03/29 computer simulation