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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究 期刊论文 四川大学学报. 自然科学版, 2010, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1069-1072 陈燕; 邓爱红; 赵有文; 张英杰; 余鑫祥; 喻菁; 龙娟娟; 周宇璐; 张丽然 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2011/08/16 磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响 期刊论文 物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5536-5541 作者:  王博 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 深能级缺陷对半绝缘InP材料电学补偿的影响 期刊论文 物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 1167-1171 作者:  王博 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷 期刊论文 物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1603-1607 作者:  王博 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 Origin of deep level defect related photoluminescence in annealed InP 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: art.no.123519 Zhao, YW (Zhao, Youwen); Dong, ZY (Dong, Zhiyuan); Miao, SS (Miao, Shanshan); Deng, AH (Deng, Aihong); Yang, J (Yang, Jun); Wang, B (Wang, Bo) 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/03/29 DOPED SEMIINSULATING INP   半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1934-1939 作者:  王博 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/11/23