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科研机构
半导体研究所 [17]
内容类型
专利 [10]
期刊论文 [7]
发表日期
2010 [2]
2008 [2]
2006 [1]
2005 [1]
2004 [1]
学科主题
半导体材料 [17]
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学科主题:半导体材料
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二次退火制备I I I-V族半导体量子点
期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 3, 页码: 747-750
作者:
金鹏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2011/08/16
超辐射发光二极管的应用
期刊论文
红外技术, 2010, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 297-303
作者:
金鹏
;
吕雪芹
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2011/08/16
InAs/GaAs量子点光致发光光谱多峰结构发光本质
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 2121-2124
作者:
金鹏
;
吕雪芹
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
A面(11-20)ZnO薄膜中杂质的偏振PL谱研究
期刊论文
光散射学报, 2008, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: 186-189
作者:
陈涌海
;
金鹏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
GaAs基上的InAs量子环制备
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2006, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 432-435
作者:
叶小玲
;
金鹏
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/23
自组装半导体量子点的电子学性质研究进展
期刊论文
金属学报, 2005, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 463-470
作者:
金鹏
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2010/11/23
利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1647-1651
作者:
金鹏
;
徐波
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2010/11/23
曲率渐变的弯曲波导量子点超辐射发光管及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
王飞飞
;
吴艳华
;
胡发杰
;
金鹏
;
王占国
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2016/08/30
复合构型可调谐光栅外腔双模激光器
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
金鹏
;
魏恒
;
吴艳华
;
陈红梅
;
王占国
收藏
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2014/11/17
一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
毛德丰
;
李维
;
王维颖
;
金鹏
;
王占国
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2014/11/24
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