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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 InAs/GaAs自组织量子点激发态的激射 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 295 作者:  王晓东;  牛智川;  王海龙 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/23 自组织生长量子点激光材料和器件研究 成果 院自然科学奖: 一等奖, 2000 主要完成人:  徐波 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/04/13 量子点   原子氢辅助分子束外延生长对GaAs材料性能的改善 期刊论文 红外与毫米波学报, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 191 作者:  王海龙;  王晓东 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 Be掺杂InAs自组织量子点的发光特性 期刊论文 发光学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 20 作者:  江德生;  王晓东;  王海龙 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/23 杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响 期刊论文 红外与毫米波学报, 1999, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 423 作者:  王海龙;  王晓东 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23 MOCVD生长的未掺杂的In_（1-x）Ga_xP中的本征缺陷 期刊论文 光电子·激光, 1999, 卷号: 10, 期号: 4, 页码: 344 作者:  王海龙 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/23 In_（0.49）Ga_（0.51）P中缺陷的俘获行为 期刊论文 发光学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 17 作者:  王海龙 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 InAs自组织生长量子点的空穴俘获势垒 期刊论文 红外与毫米波学报, 1999, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 397 作者:  王海龙 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究 期刊论文 物理学报, 1998, 卷号: 47, 期号: 1, 页码: 89 作者:  韩培德 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/23