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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相 期刊论文 中国科学. A辑， 数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 562 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2010/11/23 在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性 期刊论文 功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 338 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/11/23 InGaAs/InP中离子注入和新型HPT 期刊论文 功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 259 李国辉; 杨茹; 于民; 韩卫; 曾一平 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/23 质量分离低能离子束沉积碳膜及离子轰击效应 期刊论文 物理学报, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2186 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2010/11/23 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29 李辉杰; 杨少延; 魏鸿源; 赵桂娟; 汪连山; 李成明; 刘祥林; 王占国 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2016/09/29 一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 孔苏苏; 李辉杰; 冯玉霞; 赵桂娟; 魏鸿源; 杨少延; 王占国 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2016/08/30 半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 项若飞; 汪连山; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 张恒; 冯玉霞; 焦春美; 魏鸿源; 杨少延; 王占国 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2016/09/12 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30 张恒; 魏鸿源; 杨少延; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 刘祥林; 王占国 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/12/25 AlN单晶衬底生产设备及其使用方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22 李辉杰; 杨少延; 魏鸿源; 赵桂娟; 汪连山; 李成明; 刘祥林; 王占国 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/09/22