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ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1334-1337
作者:  王晓峰
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HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 530-533
作者:  刘喆;  魏同波;  段瑞飞
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蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1382-1385
作者:  王晓燕;  肖红领;  王保柱
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mc-Si : H/c-Si solar cell prepared by PECVD 期刊论文
rare metals, 2006, 卷号: 25, 期号: 0, 页码: 176-179
Xu, Y (Xu Ying); Liao, XB (Liao Xianbo); Diao, HW (Diao Hongwei); Li, XD (Li Xudong); Zeng, XB (Zeng Xiangbo); Liu, XP (Liu Xiaoping); Wang, MH (Wang Minhua); Wang, WJ (Wang Wenjing)
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在复合衬底γ-Al2O3／Si（001）上生长GaN 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 2378-2384
作者:  刘喆;  王俊;  王俊;  肖红领
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MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 494-497
冉军学; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1169-1172
作者:  肖红领;  韩勤
收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/11/23
Si衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上的GaN生长 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 678-681
王军喜; 王晓亮; 刘宏新; 胡国新; 李建平; 李晋闽; 曾一平
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RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 602-605
胡国新; 王晓亮; 孙殿照; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
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MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488
王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤
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