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| 非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1779-1782
作者: 赵冀
  收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2010/11/23 |
| 以Au为缓冲层在Si衬底上生长ZnO薄膜 期刊论文
发光学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 861-864
作者: 王晓峰
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2010/11/23 |
| ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1334-1337
作者: 王晓峰
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2010/11/23 |
| 直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
省部级: 二等奖, 2007
李晋闽; 曾一平; 惠峰; 卜俊鹏; 王文军; 郑红军; 孙红方
收藏 | 浏览/下载：78/0 | 提交时间：2010/04/13
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| 厚表层Si柔性绝缘衬底上SiC薄膜的外延生长 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1652-1657
作者: 王晓峰
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2010/11/23 |
| 消除碳化硅外延面穿通缺陷的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
刘兴昉; 刘斌; 刘胜北; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 张峰; 孙国胜; 曾一平
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2016/09/22 |
| 在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
郑柳; 孙国胜; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 曾一平
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2014/10/31 |
| 用于碳化硅生长的高温装置及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
刘兴昉; 刘斌; 闫果果; 刘胜北; 田丽欣; 申占伟; 王雷; 赵万顺; 张峰; 孙国胜; 曾一平
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2016/09/28 |
| 塔式多片外延生长装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
刘兴昉; 刘胜北; 刘斌; 闫果果; 赵万顺; 王雷; 张峰; 孙国胜; 曾一平
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2016/08/30 |
| 一种多片碳化硅半导体材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
闫果果; 孙国胜; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 赵万顺; 曾一平
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2016/09/12 |
