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半导体研究所 [16]
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期刊论文 [16]
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2003 [2]
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学科主题
半导体材料 [16]
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学科主题:半导体材料
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Tuning of Rashba/Dresselhaus Spin Splittings by Inserting Ultra-Thin InAs Layers at Interfaces in Insulating GaAs/AlGaAs Quantum Wells
期刊论文
nanoscale res lett, 2016, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 477
Jinling Yu
;
Xiaolin Zeng
;
Shuying Cheng
;
Yonghai Chen
;
Yu Liu
;
Yunfeng Lai
;
Qiao Zheng
;
Jun Ren
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2017/03/10
以金属为缓冲层在Si(111)上分子束外延GaN及其表征
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 1998-2002
林郭强
;
曾一平
;
王晓亮
;
刘宏新
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 530-533
作者:
刘喆
;
魏同波
;
段瑞飞
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 1012-1015
作者:
陈涌海
;
徐波
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
A Radial Stub Test Circuit for Microwave Power Devices
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1557-1561
Luo Weijun
;
Chen Xiaojuan
;
Liang Xiaoxin
;
Ma Xiaolin
;
Liu Xinyu
;
Wang Xiaoliang
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料
期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 602-605
胡国新
;
王晓亮
;
孙殿照
;
王军喜
;
刘宏新
;
刘成海
;
曾一平
;
李晋闽
;
林兰英
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/23
MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
刘宏新
;
孙殿照
;
曾一平
;
李晋闽
;
孔梅影
;
林兰英
;
刘新宇
;
刘键
;
钱鹤
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2002, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 202-204
孙殿照
;
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
刘宏新
;
刘成海
;
曾一平
;
李晋闽
;
林兰英
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料
期刊论文
材料科学与工艺, 2001, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 316
胡国新
;
孙殿照
;
王晓亮
;
刘宏新
;
刘成海
;
曾一平
;
李晋闽
;
林兰英
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
NH_3-MBE生长极化场二维电子气材料
期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 350
孙殿照
;
刘宏新
;
王军喜
;
王晓亮
;
刘成海
;
曾一平
;
李晋闽
;
林兰英
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/11/23
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