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Tuning of Rashba/Dresselhaus Spin Splittings by Inserting Ultra-Thin InAs Layers at Interfaces in Insulating GaAs/AlGaAs Quantum Wells 期刊论文
nanoscale res lett, 2016, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 477
Jinling Yu; Xiaolin Zeng; Shuying Cheng; Yonghai Chen; Yu Liu; Yunfeng Lai; Qiao Zheng; Jun Ren
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2017/03/10
以金属为缓冲层在Si(111)上分子束外延GaN及其表征 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 1998-2002
林郭强; 曾一平; 王晓亮; 刘宏新
收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2010/11/23
HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 530-533
作者:  刘喆;  魏同波;  段瑞飞
收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2010/11/23
不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 1012-1015
作者:  陈涌海;  徐波
收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2010/11/23
A Radial Stub Test Circuit for Microwave Power Devices 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1557-1561
Luo Weijun; Chen Xiaojuan; Liang Xiaoxin; Ma Xiaolin; Liu Xinyu; Wang Xiaoliang
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2010/11/23
RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 602-605
胡国新; 王晓亮; 孙殿照; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
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MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488
王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤
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分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2002, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 202-204
孙殿照; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2010/11/23
RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料 期刊论文
材料科学与工艺, 2001, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 316
胡国新; 孙殿照; 王晓亮; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
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NH_3-MBE生长极化场二维电子气材料 期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 350
孙殿照; 刘宏新; 王军喜; 王晓亮; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
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