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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
会议论文 [3]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
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Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate
会议论文
3rd international photonics and optoelectronics meetings, wuhan, peoples r china, nov 02-05, 2010
Wei M (Wei Meng)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Pan X (Pan Xu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Zhang ML (Zhang Minglan)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/07/26
5Gb/s optical logic AND operations using by monolithically integrated photodiode and electroabsorption modulator
会议论文
conference on optical modelling and design, brussels, belgium, apr 13-15, 2010
作者:
Pan JQ
;
Niu B
收藏
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浏览/下载:18/1
  |  
提交时间:2011/07/15
Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials
会议论文
1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999
Lin YW
;
Pan Z
;
Li LH
;
Zhou ZQ
;
Wang H
;
Zhang W
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/11/15
GaNAs
DC active N-2 plasma
molecular beam epitaxy
nitrogen content
Fourier transform infrared spectroscopy of intensity
BAND-GAP ENERGY
GAAS1-XNX
NITROGEN
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