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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2022     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 质子辐照下正照式和背照式图像传感器的单粒子瞬态效应 期刊论文 物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 5, 页码: 182-189 作者:  傅婧1,2,3;  蔡毓龙4;  李豫东1,2;  冯婕1,2;  文林1,2 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2022/03/17 CMOS图像传感器  质子辐照  单粒子效应  瞬态亮斑   磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计 期刊论文 物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 290-297 作者:  周书星1;  方仁凤1;  魏彦锋1;  陈传亮1;  曹文彧1 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2022/02/18 磷化铟高电子迁移率晶体管  二维电子气  电子束辐照  辐射加固   碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较 期刊论文 原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 767-774 作者:  冯皓楠1,2,3;  杨圣1,2,3;  梁晓雯1,2,3;  张丹1,2,3;  蒲晓娟1,2,3 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2022/05/06 碳化硅  总剂量效应  静态参数  动态特性  耗尽层